Indium Fosfiid

Indium Fosfiid Kirjeldus

Indiumfosfiid (InP) on binaarne pooljuht, mis koosneb indiumist ja fosforist. Sellel on näokeskne kuup ("zincblende") kristallstruktuur, mis on identne GaA-de ja enamiku III-V pooljuhtidega.

InP-d saab valmistada valge fosfori ja indiumjodiidi reaktsioonist temperatuuril 400 °C, samuti puhastatud elementide otsesel kombineerimisel kõrgel temperatuuril ja rõhul või trialküül-indiumühendi ja fosfiini segu termilise lagunemise teel.

InP-d kasutatakse suure võimsusega ja kõrgsageduslikus elektroonikas selle suurepärase elektronkiiruse tõttu tavalisemate pooljuhtide räni ja galliumarseniidi suhtes. Sellel on otsene bandgap, mis muudab selle kasulikuks optoelektroonika seadmetele nagu laserdiood. InP-d kasutatakse ka optoelektrooniliste seadmete substraadina, mis põhineb epitaksiaalsel indium galliumarseniidil.

Indium fosfiidide rakendused ja nendega seotud tööstusharud

● Optoelektroonilised komponendid

● Kiire elektroonika

● Fotogalvaanika

● Keraamika

● Päikeseenergia

● Teadusuuringud ja laboratoorium

Keemilised identifikaatorid

Indium Fosfiid omadused (teoreetiline)

Kuum tags: indiumfosfiid, Hiina, tarnijad, osta, müügiks, valmistatud Hiinas